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变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。

通常，变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的发热量大概是多少.可以用以下公式估算：发热量的近似值=变频器容量（KW）×55[W]在这里，如果变频器容量是以恒转矩负载为准的(过流能力150%*60s)如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器，并且也在柜子里面，这时发热量会更大一些。电抗器安装在变频器侧面或测上方比较好。因此，要使控制机柜的尺寸尽量减小，就必须要使机柜中产生的热量值尽可能地减少。

变频器磁环还可根据现场情况加绕在变频器控制信号端或模拟信号给定端的进线上。在电机实际应用过程中，与变频器的配合使用越来越普遍，那电机与变频器之间到底是种什么关系呢？变频器距离电动机距离过远时（超过100m），电机与变频器之间的电缆寄生电容过大，并与电机三相绕组寄生电容共同作用，在变频器开关接通瞬间，由于速度很快，会产生过大的尖峰电流，使变频器工况恶化，甚至烧毁开关。