变频器设计时可留意这些部件的改善：变频器的E端要与控制柜及电机的外壳相连，要接保安地，接地电阻应小于100Ω，可吸收突波干扰。RS485通讯口与上位机相连一定要采用光电隔离的传输方式，模拟信号线要选用屏蔽线，单端在变频器处接仿接地真地，以提高通信系统的抗干扰性能。控制线与动力线要分开走线，不能置于同一线槽中。控制线使用屏蔽线，能穿管走线，金属软管应接地良好。

今天我告诉大家的是变频器MOSFET以及IGBT1、功率场效应晶体管（POWERMOSFET）它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大等优点。

变频器的干扰处理比较麻烦，一般有下面几种：1、加隔离变压器。主要是针对来自电源的传导干扰。可以将绝大部分的传导干扰阻隔在隔离变压器之前。同时还兼有电源电压变换的作用。2、使用滤波器滤波器分有源和无源两种，一般采用无源滤波即会有效果。这些滤波器具有较强的抗干扰能力，还具有防止将设备本身的干扰传导给电源，有些还兼有尖峰电压吸收功能。